[发明专利]半导体封装结构的制作方法在审
| 申请号： | 201710251830.5 | 申请日： | 2017-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN108630600A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 张连家;蓝源富;柯志明 | 申请（专利权）人： | 力成科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体封装结构的制作方法，其包括以下步骤。首先，在晶圆的第一主动面上形成第一光致抗蚀剂层，且晶圆由多条预定切割线划分出多个芯片区。接着，通过微影制程移除部分第一光致抗蚀剂层以形成彼此分离的多个第二光致抗蚀剂层，且这些第二光致抗蚀剂层分别位于这些芯片区内。接着，沿这些预定切割线切割晶圆以得到多个芯片，且各个第二光致抗蚀剂层局部覆盖对应的芯片的第二主动面。接着，形成封装胶体以包覆任一个芯片，并使第二光致抗蚀剂层暴露在外。之后，通过微影制程移除第二光致抗蚀剂层，以暴露出芯片的第二主动面的局部。 | ||
| 搜索关键词： | 光致抗蚀剂层 芯片 晶圆 半导体封装结构 微影制程 移除 彼此分离 封装胶体 局部覆盖 切割线 线切割 芯片区 主动面 暴露 包覆 制作 切割 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装结构的制作方法，其特征在于，包括：在晶圆的第一主动面上形成第一光致抗蚀剂层，且所述晶圆由多条预定切割线划分出多个芯片区；通过微影制程移除部分所述第一光致抗蚀剂层以形成彼此分离的多个第二光致抗蚀剂层，且所述多个第二光致抗蚀剂层分别位于所述多个芯片区内；沿所述多个预定切割线切割所述晶圆以得到多个芯片，且所述多个第二光致抗蚀剂层的每一个局部覆盖对应的所述芯片的第二主动面；形成封装胶体以包覆所述多个芯片的任一个，并使局部覆盖所述芯片的所述第二主动面的所述第二光致抗蚀剂层暴露于外；以及通过微影制程移除所述第二光致抗蚀剂层，以暴露出所述芯片的所述第二主动面的局部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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