[发明专利]非挥发性存储器结构及防止其产生编程干扰的方法

摘要

本发明公开一种非挥发性存储器结构及防止其产生编程干扰的方法，包括基底、至少一个存储单元、第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区。存储单元设置于基底上，且具有位于基底中的通道区。第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区在朝向通道区的排列方向上依序设置在基底中，且第一掺杂区最远离通道区。第一掺杂区与第三掺杂区为第一导电型，且第二掺杂区为第二导电型。

主权项

1.一种非挥发性存储器结构，包括：基底；至少一存储单元，设置于该基底上，且具有位于该基底中的一通道区；以及第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区，在朝向该通道区的一排列方向上依序设置在该基底中，且该第一掺杂区最远离该通道区，其中该第一掺杂区与该第三掺杂区为一第一导电型，且该第二掺杂区为一第二导电型。