[发明专利]高压元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201710252497.X | 申请日： | 2017-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN108288645A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 蔡宗颖;游焜煌;黄宗义 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 张一军;赵静 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种高压元件及其制造方法。高压元件包含：半导体基板、绝缘结构、栅极、本体区、阱、源极与漏极、以及轻掺杂扩散(lightly doped diffusion,LDD)区。其中，绝缘结构形成于半导体基板的上表面上，用以定义元件区。轻掺杂扩散区形成于元件区中的阱上，于横向上，轻掺杂扩散区介于栅极与漏极之间，且轻掺杂扩散区不与漏极邻接。 | ||
| 搜索关键词： | 轻掺杂扩散区 高压元件 漏极 半导体基板 绝缘结构 定义元件 邻接 轻掺杂 上表面 元件区 源极 制造 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种高压元件，其特征在于，包含：一半导体基板，于一垂直方向上，具有相对的一上表面与一下表面；一绝缘结构，形成于该上表面上，用以定义一元件区；一栅极，形成于该半导体基板的该上表面上的该元件区中；一本体区，具有一第一导电型，形成于该上表面下的该元件区中，且部分该本体区位于该栅极正下方；一阱，具有一第二导电型，形成于该上表面下的该元件区中，该阱于一横向上与该本体区邻接，而形成一接面，且该接面位于该栅极正下方；一源极与一漏极，具有该第二导电型，形成于该上表面下的该元件区中，分别位于该栅极下方的外部靠近该本体区侧与远离该本体区侧，且该漏极与该栅极间，由该阱分开；以及一轻掺杂扩散LDD区，具有该第一导电型，形成于该上表面下的该元件区中的该阱上，于该横向上，该LDD区介于该栅极与该漏极之间，且该LDD区不与该漏极邻接。
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