[发明专利]半导体存储元件

摘要

本发明公开一种半导体存储元件，包含一存储列，多个存储单元，一第一P型阱区，一第二P型阱区，以及一N型阱区，该N型阱区位于该第一P型阱区以及该第二P型阱区之间。该半导体存储元件定义有多个第一区域、多个第二区域、多个第三区域以及多个第四区域，每一个第一区域内都包含有一个该存储单元，各该第二区域、各该第三区域以及各该第四区域内，各自包含有一个电压接触件，以提供电压至该第一P型阱区，该第二P型阱区以及该N型阱区。另外该第一区域至该第四区域彼此之间不互相重叠。

主权项

1.一种半导体存储元件，包含：第一P型阱区，该第一P型阱区的延伸方向与一第一方向平行；第二P型阱区，该第二P型阱区的延伸方向与该第一方向平行；N型阱区，延着该第一方向延伸，该N型阱区位于该第一P型阱区以及该第二P型阱区之间；其中，当由一平面图视向该半导体存储元件时，满足以下条件：(1)该半导体存储元件定义有多个第一区域，各该第一区域沿着该第一方向排列；(2)该半导体存储元件定义有至少一第二区域，至少一第三区域以及至少一第四区域，该第一区域、该第二区域；该第三区域以及该第四区域彼此互不重叠；(3)各该第二区域内还包含有第一电压接触件，直接接触该N型阱区，并提供一第一电压至该N型阱区，各该第三区域内还包含有第二电压接触件，直接接触该第一P型阱区，并提供一第二电压至该第一P型阱区，各该第四区域内还包含有第三电压接触件，直接接触该第二P型阱区，并提供一第三电压至该第二P型阱区；以及(4)每一个第一区域内都包含有一个存储单元，各该存储单元并不位于该第二区域、该第三区域或该第四区域内，其中每一个该存储单元都包含有多个N型晶体管以及多个P型晶体管，各该P型晶体管都位于该N型阱区的一范围内，而各该N型晶体管位于该第一P型阱区的一范围内或该第二P型阱区的一范围内。