[发明专利]一种NAND FLASH阵列Mapping信息存储方法有效
| 申请号： | 201710256533.X | 申请日： | 2017-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN107025073B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 尹超;赵鑫鑫;李朋;姜凯 | 申请（专利权）人： | 浪潮集团有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 37100 济南信达专利事务所有限公司 | 代理人： | 姜明 |
| 地址： | 250100 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NAND FLASH阵列Mapping信息存储方法，所述方法通过NOR FLASH存储每列NAND FLASH的第一和第二Mapping信息和更新成功标志，当系统上电时，根据更新成功标志选择对应的Mapping信息进行加载，避免当更新Mapping表时系统断电导致初始Mapping信息的丢失。本发明方法具有方便简单，操作方便等特点，能够通过记录不同列的两个Mapping信息及更新标志位，保证Mapping信息的加载。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nandflash 阵列 mapping 信息 存储 方法 | ||
【主权项】：
1.一种NAND FLASH阵列Mapping信息存储方法，其特征在于，所述方法通过NOR FLASH存储每列NAND FLASH的第一和第二Mapping信息和更新成功标志，当系统上电时，根据更新成功标志选择对应的Mapping信息进行加载，避免当更新Mapping表时系统断电导致初始Mapping信息的丢失；/n所述方法实现步骤如下：/n首先上电系统会读取NOR FLASH中每列NAND FLASH的Mapping信息的上次更新成功与否标志；/n当更新成功时，则读取对应NAND FLASH列的第二Mapping信息，否则读取第一Mapping信息，直到加载完NAND FLASH阵列的所有列的Mapping信息；/n系统运行期间，NOR FLASH控制器会周期性的遍历所有列的NAND FLASH的Mapping信息是否改变的标志，当发生改变时，则更新对应列的NAND FLASH的Mapping信息，更新完成时，则将对应列的更新成功标志位置起，否则为更新失败。/n
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