[发明专利]一种磁控溅射倾斜沉积镀膜装置在审

专利信息
申请号: 201710256926.0 申请日: 2017-04-19
公开(公告)号: CN107142457A 公开(公告)日: 2017-09-08
发明(设计)人: 向勇;刘雯;闫宗楷;彭志;蒋赵联;吴露 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 电子科技大学专利中心51203 代理人: 闫树平
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及真空镀膜技术领域,具体为一种磁控溅射倾斜沉积镀膜装置,包括溅射腔、腔门、手套箱和过渡腔。本发明通过多个可独立调节的伸缩支架,实现待渡基片的角度连续变化。再运用手套箱的配置,通过溅射腔、手套箱和过渡腔的两两连接,使得在更换基片和靶材的过程中,磁控溅射装置的工作气氛保持稳定,不破坏溅射腔的真空度,避免了再次抽真空操作,提高了工作效率。本发明装置能完成水平状态和连续倾斜角度的磁控溅射镀膜;不破坏真空条件下的待镀基片更换,实现效率的提升;待镀基片可加热,增加了实验可变参数;外接设备手套箱,实现惰性气体条件下的靶材更换。
搜索关键词: 一种 磁控溅射 倾斜 沉积 镀膜 装置
【主权项】:
一种磁控溅射倾斜沉积镀膜装置,包括溅射腔、腔门、手套箱和过渡腔,其特征在于:所述溅射腔中设有基片转动电机、旋转轴、底座、伸缩支架、顶板、基片架、靶枪、靶材和靶材架;旋转轴连接底座和基片旋转电机,底座固定且始终处于水平;伸缩支架连接底座和顶板,伸缩支架至少三个,各伸缩支架的两端分别固定在底座和顶板的边缘,且长度可调;顶板的下方连接基片架,基片架用于放置待镀基片;顶板的倾斜带动加热台,基片架和待镀基片同时一致倾斜;靶材架上安装有至少一个靶枪,靶材固定在靶枪顶部;所述过渡腔中设有传送基片架和磁力传送装置,传送基片架与磁力传送装置连接,用于传送待镀基片至溅射腔中;所述溅射腔、手套箱和过渡腔通过3个腔门实现两两连接。
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