[发明专利]一种TFT基板的制作方法、TFT基板及光罩有效
| 申请号： | 201710261622.3 | 申请日： | 2017-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN107086219B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 高冬子 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 44280 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 钟子敏<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 518006 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种TFT基板的制作方法、TFT基板及光罩。该方法包括：获得包括第一部分及位于第一部分侧边的第二部分，且铺设于TFT基板上的光阻层；刻蚀位于光阻层下的TFT基板的第一金属层；且使光阻层的第一部分不突出于所述刻蚀后的第一金属层的侧边；以光阻层的第一部分为掩膜，刻蚀第一金属层下的半导体层，以使半导体层的侧边不突出于刻蚀后的金属层的侧边。通过该方法可以明显减少半导体层的裸露，从而能够提高TFT基板的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tft 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括：/n利用光罩曝光显影铺设于所述TFT基板上的光阻层，以使曝光显影后的所述光阻层包括第一部分及位于所述第一部分侧边的第二部分，且所述第一部分的最小厚度大于所述第二部分的最大厚度；/n刻蚀位于所述光阻层下的所述TFT基板的第一金属层；且使所述光阻层的所述第一部分不突出于所述刻蚀后的所述第一金属层的侧边；/n灰化所述光阻层，以去除所述光阻层的所述第二部分；/n以所述光阻层的所述第一部分为掩膜，刻蚀设置于所述第一金属层下的半导体层，以使所述半导体层的侧边不突出于所述刻蚀后的所述第一金属层的侧边。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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