[发明专利]具有字元抹除与减少写入干扰的非易失性存储器装置有效
| 申请号： | 201710270037.X | 申请日： | 2017-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108735266B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 黄义欣;许志强 | 申请（专利权）人： | 物联记忆体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台北市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储器装置包括多个存储单元区块。所述多个存储单元区块配置为存储单元阵列。所述存储单元区块为一个抹除单元，各别包括多个存储单元、第一字元线以及第二字元线。所述多个存储单元各别包括第一存储单元以及第二存储单元。所述存储单元阵列的每一行设置选择信号线，并且所述选择信号线通过多个N型晶体管耦接每一行当中的所述多个存储单元区块。所述多个存储单元区块依据每一行的所述选择信号线提供的选择信号来各别决定是否执行读取操作、写入操作或抹除操作。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 字元 减少 写入 干扰 非易失性存储器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器装置，包括：多个存储单元区块，配置为存储单元阵列，其中所述存储单元区块各别包括：多个存储单元，各别包括第一存储单元以及第二存储单元；第一字元线，耦接每一所述多个存储单元的所述第一存储单元，并且提供第一字元信号；以及第二字元线，耦接每一所述多个存储单元的所述第二存储单元，并且提供第二字元信号，其中所述存储单元阵列中的每一行设置选择信号线，并且所述选择信号线通过多个N型晶体管耦接每一行当中的所述多个存储单元区块，其中所述多个存储单元区块依据每一行的所述选择信号线提供的选择信号来各别决定是否执行读取操作、写入操作或抹除操作。
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