[发明专利]一种氟化锗化氢二维材料及制备方法在审
| 申请号： | 201710270932.1 | 申请日： | 2017-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108726557A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 封伟;王宇;冯奕钰;李瑀;赵付来;张盼盼 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C01G17/00 | 分类号： | C01G17/00 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种氟化锗化氢二维材料及制备方法，以金属单质锗和钙熔融冷却析出得到层状晶体二锗化钙，与浓盐酸在低温下处理得到层状锗化氢，最后用氟气氟化得到氟化锗化氢材料。本发明技术方案中反应原料易得，过程简便，工艺简单，氟化后材料对氧气耐受性提高，材料制备以及稳定性对比其他类石墨烯二维材料具有显著优势。 | ||
| 搜索关键词： | 二维材料 氟化锗 氟化 制备 耐受性 析出 材料制备 层状晶体 反应原料 金属单质 类石墨烯 熔融冷却 浓盐酸 锗化氢 氟气 锗化 氧气 | ||
【主权项】：
1.氟化锗化氢二维材料，其特征在于，氟化锗化氢具有片层状结构，其尺寸大小为100±10nm，同时存在锗氢键和氟取代氢的锗氟键，按照下述步骤进行：步骤1，在惰性气氛中将金属单质钙和锗以物质的量比例1:2进行配料，置于石英玻璃管内真空封装，加热到950℃—1100℃待配料熔融后，经45—120小时缓慢降温至室温20—25摄氏度，得到二锗化钙；步骤2，将步骤1制备的二锗化钙置于浓盐酸中，在‑35℃—‑45℃下惰性气氛中处理160—240小时，过滤洗涤干燥后得到锗化氢；步骤3，将步骤2制备的锗化氢与氟气反应，以使氟气氟化得到氟化锗化氢材料，在25℃—60℃反应20—50小时，得到氟化锗化氢。
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