[发明专利]带隙基准和上电复位的复合功能电路及电子系统有效

专利信息
申请号: 201710273216.9 申请日: 2017-04-24
公开(公告)号: CN108733114B 公开(公告)日: 2020-08-07
发明(设计)人: 梁婷轩 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张振军;吴敏
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种带隙基准和上电复位的复合功能电路及电子系统,所述复合功能电路包括:带隙基准电路,由电源电压供电并产生带隙基准电压,所述带隙基准电路包括差分运算放大器;比较器,所述比较器具有失调电压,所述比较器适于对所述差分运算放大器的第一输入端和第二输入端的电压进行比较,以产生上电复位信号。采用本发明方案可以降低电路设计的复杂性,并有效地提高集成电路的集成度。
搜索关键词: 基准 复位 复合 功能 电路 电子 系统
【主权项】:
1.一种带隙基准和上电复位的复合功能电路,其特征在于,包括:带隙基准电路,由电源电压供电并产生带隙基准电压,所述带隙基准电路包括差分运算放大器;比较器,所述比较器具有失调电压,所述比较器适于对所述差分运算放大器的第一输入端和第二输入端的电压进行比较,以产生上电复位信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710273216.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top