[发明专利]半导体发光器件有效

专利信息
申请号: 201710275170.4 申请日: 2017-04-25
公开(公告)号: CN107316930B 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 徐钟完;金镇夏;禹光福;李东勋;李源晙;黄善焕 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L33/22 分类号: H01L33/22;H01L33/50;H01L33/58;H01L33/60
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 屈玉华
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体发光器件可以包括半导体发光二极管(LED)芯片、在LED芯片上的光透射膜以及在光透射膜与半导体LED芯片之间的光透射接合层。光透射膜和光透射接合层的至少之一可以包括波长转换材料,该波长转换材料配置为将由半导体LED芯片发射的光转换成具有与所发射的光的波长不同的波长的光。光透射接合层可以具有延伸到侧表面以形成倾斜面的侧面倾斜区域。半导体发光器件还可以包括反射封装部分,该反射封装部分围绕光透射接合层,覆盖第一表面使得LED芯片的电极被至少部分地暴露。反射封装部分可以包括反射材料。
搜索关键词: 半导体 发光 器件
【主权项】:
一种半导体发光器件,包括:半导体发光二极管(LED)芯片,具有第一表面、在所述第一表面上的电极、与所述第一表面相反的第二表面、以及在所述第一表面和所述第二表面之间的侧表面;光透射膜,在所述半导体LED芯片的所述第二表面上;光透射接合层,在所述光透射膜和所述半导体LED芯片之间,所述光透射接合层配置为接合所述光透射膜至所述半导体LED芯片,所述光透射接合层包括延伸到所述半导体LED芯片的所述侧表面以形成倾斜面的侧面倾斜区域;以及反射封装部分,围绕所述光透射接合层,所述反射封装部分覆盖所述半导体LED芯片的所述第一表面使得所述电极至少部分地从所述反射封装部分暴露,所述反射封装部分包括反射材料,其中所述光透射膜和所述光透射接合层的至少之一包括波长转换材料,所述波长转换材料配置为将由所述半导体LED芯片发射的光转换成具有与所发射的光的波长不同的波长的光。
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