[发明专利]半导体存储元件

摘要

本发明公开一种半导体存储元件，包含一存储列，多个存储单元，一第一P型阱区，一第二P型阱区，以及一N型阱区，该N型阱区位于该第一P型阱区以及该第二P型阱区之间。该半导体存储元件定义有多个第一区域以及多个第二区域，每一个第一区域以及每一个第二区域内都包含有一个该存储单元，各该第二区域内还包含有至少两个第一电压提供接触件，以及至少一第二电压提供接触件，其中该第一电压提供接触件以及该第二电压提供接触件并不位于各该第一区域内。

主权项

1.一种半导体存储元件，包含：第一P型阱区，该第一P型阱区的延伸方向与一第一方向平行；第二P型阱区，该第二P型阱区的延伸方向与该第一方向平行；N型阱区，沿着该第一方向延伸，该N型阱区位于该第一P型阱区以及该第二P型阱区之间；其中，当由一平面图视向该半导体存储元件时，满足以下条件：(1)该半导体存储元件定义有多个第一区域，各该第一区域沿着该第一方向排列；(2)该半导体存储元件定义有至少一第二区域，且该第二区域位于两该第一区域之间，该第二区域与该第一区域彼此并不重叠；(3)各该第二区域内还包含有至少两个第一电压提供接触件，分别提供一第一电压至该第一P型阱区以及该第二P型阱区，以及至少一第二电压提供接触件，提供一第二电压至该N型阱区，其中该第一电压提供接触件以及该第二电压提供接触件并不位于各该第一区域内；以及(4)每一个第一区域内以及每一个第二区域内都包含有一个存储单元，每一个该存储单元都包含有多个N型晶体管以及多个P型晶体管，各该P型晶体管都位于该N型阱区的一范围内，而各该N型晶体管位于该第一P型阱区的一范围内或该第二P型阱区的一范围内。