[发明专利]功率器件的调节器有效
| 申请号： | 201710278653.X | 申请日： | 2017-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN107306131B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | D·伯纳唐 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03L5/00 | 分类号： | H03L5/00;H03K19/0175 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了消除热点生成的功率器件的尺寸调节。将参数与较低的阈值相比较。参数是与第一晶体管相关联的栅极到源极电压或与第一晶体管相关联的漏极电流。第一晶体管是场效应晶体管，并且第一晶体管是功率器件。如果至少一个补充晶体管中的一个或多个耦合到第一晶体管并且参数小于较低阈值，则多个开关被控制为将至少一个补充晶体管中的至少一个从第一晶体管去耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 调节器 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：第一晶体管，其中所述第一晶体管是场效应晶体管，并且其中所述第一晶体管是功率器件；至少一个补充晶体管；多个开关，其被布置成选择性地将所述至少一个补充晶体管中的一个或多个补充晶体管耦合到所述第一晶体管；以及比较电路，其被布置成：将参数与较低阈值相比较，其中所述参数是与所述第一晶体管相关联的栅极到源极电压或者与所述第一晶体管相关联的漏极电流中的至少一项；以及如果所述至少一个补充晶体管中的一个或多个补充晶体管耦合到所述第一晶体管并且所述参数小于所述较低阈值，则控制所述多个开关将所述至少一个补充晶体管中的至少一个补充晶体管从所述第一晶体管去耦合。
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