[发明专利]晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201710279087.4 | 申请日： | 2017-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108735804B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;刘少雄 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种晶体管及其制作方法，晶体管包括半导体衬底；位于所述半导体衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交错堆叠的第一堆叠层和第二堆叠层，所述第一堆叠层突出所述第二堆叠层以在所述堆叠结构的外侧形成开口；位于所述开口中的薄膜侧墙，所述薄膜侧墙位于所述第二堆叠层的侧壁和第一堆叠层的表面；位于所述堆叠结构上的栅极结构。由此在所述第一堆叠层突出所述第二堆叠层所造成的开口中形成了薄膜侧墙，实现了对开口的遮挡，由此降低了栅极与源极/漏极之间的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交错堆叠的第一堆叠层和第二堆叠层，所述第一堆叠层突出所述第二堆叠层以在所述堆叠结构的外侧形成开口；位于所述开口中的薄膜侧墙，所述薄膜侧墙位于所述第二堆叠层的侧壁和第一堆叠层的表面；以及位于所述堆叠结构上的栅极结构。
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