[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该方法包括：提供半导体结构，其包括衬底、在衬底上的一个或多个半导体鳍片和在每个半导体鳍片周围的沟槽隔离结构；该沟槽隔离结构包括：与半导体鳍片的延伸方向相交的第一沟槽隔离部和与半导体鳍片的延伸方向平行的第二沟槽隔离部；对沟槽隔离结构执行刻蚀以露出半导体鳍片的一部分；在半导体结构上形成图案化的缓冲层，该缓冲层覆盖第二沟槽隔离部，且具有露出第一沟槽隔离部的开口；在开口中形成绝缘物层，该绝缘物层的上表面与半导体鳍片的上表面基本齐平；以及去除缓冲层。本发明可以尽量避免现有技术中可能造成的SDB区域的氧化物损失问题。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括：衬底、位于所述衬底上的一个或多个半导体鳍片、以及在每个半导体鳍片周围的沟槽隔离结构；其中，所述沟槽隔离结构的上表面与所述半导体鳍片的上表面基本齐平，所述沟槽隔离结构包括：与所述半导体鳍片的延伸方向相交的第一沟槽隔离部，以及与所述半导体鳍片的延伸方向平行的第二沟槽隔离部；对所述沟槽隔离结构执行刻蚀以露出所述半导体鳍片的一部分；在对所述沟槽隔离结构执行刻蚀后，在所述半导体结构上形成图案化的缓冲层，所述缓冲层覆盖所述第二沟槽隔离部，并且具有露出所述第一沟槽隔离部的开口；在所述开口中形成绝缘物层，所述绝缘物层的上表面与所述半导体鳍片的上表面基本齐平；以及去除所述缓冲层。