[发明专利]具有非对称源极/漏极的半导体器件有效
| 申请号： | 201710281354.1 | 申请日： | 2016-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN107123685B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 郑钟基;姜明一;金伦楷;李宽钦 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/16;H01L29/161;H01L29/165;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括衬底、从所述衬底突出的有源鳍以及布置在所述有源鳍的上表面上的非对称菱形源极/漏极。所述源极/漏极包括第一晶体生长部分和第二晶体生长部分，第二晶体生长部分与第一晶体生长部分共享一个平面，并且第二晶体生长部分的下表面布置在比第一晶体生长部分的下表面更低的水平高度上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对称 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；从所述半导体衬底竖直地延伸的有源鳍；以及位于所述有源鳍的上表面上的不对称源极/漏极，其中，所述不对称源极/漏极包括第一晶体生长部分和从所述第一晶体生长部分的一部分延伸的第二晶体生长部分，其中，所述第二晶体生长部分的下表面位于比所述第一晶体生长部分的下表面更低的水平高度上。
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