[发明专利]用于制造半导体器件的方法

摘要

本申请涉及用于制造半导体器件的方法。提高了半导体器件的性能。一种用于制造半导体器件的方法包括以下步骤提供半导体衬底，所述半导体衬底具有吸除层和外延层，所述吸除层是通过离子注入簇而形成的；使半导体衬底经受800℃或更高温度的热处理，并由此形成氢吸附位置；此后将进行的是在半导体衬底处形成元件隔离膜；在半导体衬底中注入用于形成第一半导体区域的杂质；注入用于形成第二半导体区域的杂质；和此后将进行的是执行针对光电二极管的热处理。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底具有通过在其内部离子注入簇而形成的吸除层以及形成在所述吸除层顶部的外延层；(b)使所述半导体衬底经受800℃或更高的第一热处理；(c)在步骤(b)之后，在所述半导体衬底的主表面处形成元件隔离膜和由所述元件隔离膜围绕的有源区域；(d)将第一导电类型的第一杂质注入到所述有源区域中的所述半导体衬底中；(e)将不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二杂质注入到所述有源区域中的所述半导体衬底中；和(f)在步骤(d)和(e)之后，使所述半导体衬底经受600℃或更高的第二热处理。