[发明专利]电极结构的制备方法、电极结构、薄膜晶体管及显示装置有效
申请号: | 201710283100.3 | 申请日: | 2017-04-26 |
公开(公告)号: | CN107068549B | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 王久石;曹占锋;姚琪;吕志军 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033;H01L21/3213;H01L29/786 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种电极结构的制备方法、电极结构、薄膜晶体管及显示装置,包括:在衬底基板上依次形成金属薄膜层、多晶硅薄膜和光阻层;对光阻层进行曝光显影,形成光阻层的图形;保留光阻层的图形下方对应的多晶硅薄膜,去除剩余其他区域的多晶硅薄膜;以光阻层的图形为掩膜采用湿法刻蚀方法对金属薄膜层进行构图形成金属电极的图形;去除光阻层的图形。在金属薄膜层上形成光阻层之前在金属薄膜层上形成了多晶硅薄膜,由于该多晶硅薄膜的表面凹凸不平,因此可以增加光阻层与金属薄膜层表面的粘附力,从而在以光阻层的图形为掩膜,采用湿法刻蚀方法对金属薄膜层进行构图时,光阻层不容易从金属薄膜层的表面脱落,保证了刻蚀工艺的顺利进行。 | ||
搜索关键词: | 电极 结构 制备 方法 薄膜晶体管 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种电极结构的制备方法,其特征在于,包括:在衬底基板上形成金属薄膜层;在所述金属薄膜层上依次形成多晶硅薄膜和光阻层;对所述光阻层进行曝光显影,形成光阻层的图形;保留所述光阻层的图形下方对应的所述多晶硅薄膜,去除剩余其他区域的所述多晶硅薄膜;以所述光阻层的图形为掩膜,采用湿法刻蚀方法对所述金属薄膜层进行构图,形成金属电极的图形;去除所述光阻层的图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造