[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201710286328.8 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN107342324A | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 朴美善;朴起宽;李泰宗;卓容奭;朴起演 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件包括在衬底上的有源鳍、在有源鳍上的栅结构、直接在栅结构的侧壁上的栅间隔物结构、以及在有源鳍的与栅间隔物结构相邻的部分上的源极/漏极层。栅间隔物结构包括顺序堆叠的硅碳氮氧化物(SiOCN)图案和二氧化硅(SiO2)图案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：在衬底上的有源鳍；在所述有源鳍上的栅结构；直接在所述栅结构的侧壁上的栅间隔物结构，所述栅间隔物结构包括顺序堆叠的硅碳氮氧化物(SiOCN)图案和二氧化硅(SiO2)图案；以及源极/漏极层，其在所述有源鳍的与所述栅间隔物结构相邻的部分上。
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