[发明专利]一种高压LED芯片的制造方法在审
| 申请号： | 201710286851.0 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108807351A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 吴永军;刘亚柱;唐军;吕振兴 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高压LED芯片的制造方法，包括步骤：S1、对所述高压LED芯片的外延片进行光刻并在刻蚀出第一指定图形；S2、在所述外延片生成CBL，按照第二指定图形对所述CBL进行光刻，形成基片；S3、在所述基片上生长ITO并进行Mesa光刻，腐蚀所述ITO后进行Mesa刻蚀，形成形状为第三指定图形的所述ITO；S4、在所述基片上生长绝缘层，通过光刻或刻蚀去除多余的所述绝缘层，蒸镀PN电极金属，形成所述高压LED芯片。在保证高压LED芯片品质的前提下，大大简化光刻次数，缩短制程周期，降低成本，同时一定程度提升发光面积。 | ||
| 搜索关键词： | 高压LED芯片 光刻 刻蚀 绝缘层 外延片 电极金属 生长 蒸镀 制程 去除 制造 发光 腐蚀 保证 | ||
【主权项】：
1.一种高压LED芯片的制造方法，其特征在于，包括步骤：S1、对所述高压LED芯片的外延片进行光刻并在刻蚀出第一指定图形(A)；S2、在所述外延片生成CBL，按照第二指定图形(B)对所述CBL进行光刻，形成基片；S3、在所述基片上生长ITO并进行Mesa光刻，腐蚀所述ITO后进行Mesa刻蚀，形成形状为第三指定图形(C)的ITO；S4、在所述基片上生长绝缘层，通过光刻或刻蚀去除多余的所述绝缘层，蒸镀PN电极金属，形成所述高压LED芯片。
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