[发明专利]一种气相沉积设备及薄膜的制备方法有效
申请号: | 201710287202.2 | 申请日: | 2017-04-27 |
公开(公告)号: | CN106947954B | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 张东徽;刘国冬;马小叶;马睿;王梓轩 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/02 | 分类号: | C23C16/02;C23C16/52 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;刘伟 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种气相沉积设备及薄膜的制备方法。其中,气相沉积设备包括:机台、至少一个的加热单元以及控制器;其中,所述控制器用于控制所述加热单元对放置在所述机台上的基板的待成膜区域进行加热,以使所述待成膜区域达到气相沉积的成膜温度。本发明的方案可以对基板上的待成膜区域进行精确加热,使得材料气体能够在待成膜区域处发生相关反应,以形成薄膜,从而更有效率地使用反应材料气体,避免了不必要的资源浪费。此外,由于本实施例直接对基板待成膜区进行加热,所以加热效率以及加热效果要明显高于现有的对反应材料气体进行加热的方案,因此对产品的良品率也有一定的提高。 | ||
搜索关键词: | 成膜区域 加热 薄膜 沉积设备 反应材料 加热单元 控制器 对基板 成膜 制备 机台 气相沉积设备 材料气体 加热效果 加热效率 气相沉积 良品率 基板 | ||
【主权项】:
1.一种气相沉积设备,其特征在于,包括:机台、至少一个的加热单元以及控制器;其中,所述控制器用于控制所述加热单元对放置在所述机台上的基板的待成膜区域进行加热,以使所述待成膜区域达到气相沉积的成膜温度;所述基板上设置有导电图形,所述待成膜区域包括所述导电图形的设置区域;所述加热单元包括:第一电源装置和电磁感应线圈;所述控制器用于控制所述第一电源装置向所述电磁感应线圈施加交流电,从而控制所述电磁感应线圈以电磁能直接对所述导电图形进行加热。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的