[发明专利]一种混合结沟槽型的肖特基势垒二极管在审
| 申请号： | 201710289000.1 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN107123691A | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 张小辛;郭涵;郑晨焱;粟笛 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 401331 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种混合结沟槽型的肖特基势垒二极管，包括衬底；外延层，生长于衬底的上表面，外延层的上表面形成有多个沟槽，沟槽的顶部形成有横向扩散的掺杂区；隔离介质层，覆盖沟槽的侧部和底部以及掺杂区的侧部表面；多晶硅层，填充每个沟槽；多晶硅层的上表面与外延层的上表面齐平形成一平坦表面；第一金属层，覆盖于平坦表面上方；第二金属层，覆盖于第一金属层的上表面，能够在肖特基势垒二极管中形成PN结结构，同时具有沟槽型器件具有的高耐压低漏电性能以及肖特基整流器结构的低压降和浪涌能力，可满足大功率低功耗的应用需求；以及上述的混合结沟槽型的肖特基势垒二极管的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 混合 沟槽 肖特基势垒二极管 | ||
【主权项】：
一种混合结沟槽型的肖特基势垒二极管，其特征在于，包括：衬底；外延层，生长于所述衬底的上表面，所述外延层的上表面形成有多个沟槽，所述沟槽的顶部形成有横向扩散的掺杂区；隔离介质层，覆盖所述沟槽的侧部和底部以及所述掺杂区的侧部表面；多晶硅层，填充每个所述沟槽；所述多晶硅层的上表面与所述外延层的上表面齐平形成一平坦表面；第一金属层，覆盖于所述平坦表面上方；第二金属层，覆盖于所述第一金属层的上表面。
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