[发明专利]一种单相CuO纳米片阵列薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种单相CuO纳米片阵列薄膜及其制备方法，采用阳极氧化工艺在高纯铜材表面生长垂直于基底并相互交错排列的铜氧化物阵列，通过在电解液中加入合适浓度的(NH₄)₆Mo₇O₂₄·4H₂O获得单相CuO纳米片阵列薄膜，该薄膜中CuO纳米片的厚度为10‑30nm，CuO纳米片的长度300‑500nm，CuO纳米片均匀致密生长于基底材料上，呈纳米花状，与基底材料结合牢固。所制备的单相CuO纳米薄膜表现出较高比电容特性和卓越的循环稳定性，制备步骤简单可控，是一种有实际应用价值的电容电极材料。

主权项

1.一种单相CuO纳米片阵列薄膜，其特征在于：以高纯铜材为基底材料，高纯铜材上垂直生长有CuO纳米片阵列薄膜，CuO纳米片的厚度为10‑30nm，CuO纳米片的长度300‑500nm，CuO纳米片均匀致密生长于基底材料上，呈纳米花状，与基底材料结合牢固；上述单相CuO纳米片阵列薄膜采用如下方法制备而成：在双电极电化学反应体系中，以高纯铜材作为阳极，以高纯钛片作为阴极，以氢氧化钠、氯化钠、聚乙二醇20000为基础电解液，(NH4)6Mo7O24·4H2O为形貌和相结构控制剂，采用恒电流阳极氧化工艺，制得单相CuO纳米片阵列薄膜；所述的高纯铜材的纯度≥99.99％，所述的高纯钛片的纯度≥99.6％。