[发明专利]一种物理溅射成膜装置及方法在审
| 申请号： | 201710298657.4 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN107058961A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 刘思洋 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 吴大建,何娇 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种物理溅射成膜装置，其中，物理溅射成膜装包括真空的腔体；设于腔体内的基板台，其上设有待成膜的基板；设于腔体内的靶材，其与基板相对设置；至少一个方阻计，其与靶材相接以用于实时测定靶材的实际电阻值；激发源，其用于轰击靶材使其溅射出靶材原子；控制系统，其与所述方阻计相接。本发明的物理溅射成膜装置结构简单，能够实时监测靶材的消耗情况，有效避免靶材击穿造成背板损伤及产品异常，提高产品良率，同时还可以提高靶材使用效率，避免靶材未使用完成造成材料浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 物理 溅射 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种物理溅射成膜装置，其特征在于，所述物理溅射成膜装包括：真空的腔体；设于所述腔体内的基板台，其上设有待成膜的基板；设于所述腔体内的靶材，其与所述基板相对设置；至少一个方阻计，其与所述靶材相接以用于实时测定所述靶材的实际电阻值；激发源，其用于轰击所述靶材使其溅射出靶材原子；控制系统，其与所述方阻计相接。
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