[发明专利]一种实数指数幂忆阻模型的电路设计方法有效

专利信息
申请号: 201710302716.0 申请日: 2017-05-03
公开(公告)号: CN107145661B 公开(公告)日: 2020-07-21
发明(设计)人: 张小红;齐彦丽 申请(专利权)人: 江西理工大学
主分类号: G06F30/30 分类号: G06F30/30
代理公司: 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 代理人: 施秀瑾
地址: 341000 *** 国省代码: 江西;36
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摘要: 一种实数指数幂忆阻模型的电路设计方法,在仅包含一个线性无源电导,一个线性无源电容和一个非线性忆阻器的简约混沌电路基础上,构建了一个指数幂的忆阻函数多项式,该指数幂为连续可变的正实数。对本发明的实数指数幂忆阻器模型系统进行数值仿真,验证了系统经典混沌吸引子的存在性。相应的电路实验仿真结果表明本发明设计的电子器件满足忆阻器的本质特征,实数指数幂忆阻函数具有更加广泛和通用的应用价值。
搜索关键词: 一种 实数 指数 幂忆阻 模型 电路设计 方法
【主权项】:
一种实数指数幂忆阻模型的电路设计方法,其特征是包括以下步骤:步骤S01:基于最简混沌系统,构造忆阻函数多项式指数幂为可变参数的一般忆阻器模型;步骤S02:将步骤S01中忆阻函数多项式指数幂选取为正整数,验证其最简混沌系统的混沌特性;步骤S03:基于步骤S02设计正整数指数幂忆阻模型的电路原理图,验证忆阻元件的三个本质特征的存在性;步骤S04:将步骤S02中正整数拓展至正实数,数值计算基于该实数指数幂忆阻模型的最简混沌系统的混沌特性;步骤S05:基于步骤S04设计忆阻函数多项式指数幂为正实数时一般忆阻器模型的电路原理图,验证忆阻元件的三个本质特征。
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