[发明专利]半导体晶片及半导体封装在审
| 申请号： | 201710307231.0 | 申请日： | 2017-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN108022966A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李英志;郭进成;王永辉;赖威宏;王中鼎;李晓燕 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L23/498;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体晶片包含衬底结构、第一绝缘层、导电层和第二绝缘层。所述衬底结构界定通孔。所述第一绝缘层覆盖所述衬底结构的表面。所述第一绝缘层延伸到所述通孔中，覆盖所述通孔的侧壁，且在所述通孔的底部暴露底部表面。所述导电层覆盖所述第一绝缘层以及所述第一绝缘层所暴露的所述底部表面。所述第二绝缘层覆盖所述导电层。所述半导体晶片的翘曲小于550微米。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 封装 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片，其包括：衬底结构，其界定通孔；第一绝缘层，其覆盖所述衬底结构的第一表面，其中所述第一绝缘层延伸到所述通孔中，覆盖所述通孔的侧壁，且在所述通孔的底部暴露底部表面；导电层，其覆盖所述第一绝缘层以及所述第一绝缘层所暴露的所述底部表面；以及第二绝缘层，其覆盖所述导电层，其中所述半导体晶片的翘曲小于550微米。
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