[发明专利]非易失性存储器及其写入方法有效
| 申请号： | 201710307607.8 | 申请日： | 2017-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN108470576B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 李亚睿;陈冠复 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/08;G11C16/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储器及其写入方法。其中，写入方法适用于非易失性存储器，包括：在至少一禁止写入存储器串中的第一侧边存储器单元及第一导通存储器单元间设定至少一第一隔离存储器单元；在第一时间点，断开该至少一第一隔离存储器单元及提供预升压电压到第一侧边存储器单元的字线；在第二时间点导通该至少一第一隔离存储器单元，在第二时间周期中，提供预升电压到该第一导通存储器单元及主要存储器单元的通道；并且在提升电压期间，提供升压电压到该第一导通存储器单元的字线上。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 写入 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器编程方法，其特征在于，包括：在至少一遮蔽存储器串中，设定在一第一侧边存储器单元及的一第一通道存储器单元间的至少一第一隔离存储器单元；在第一时间点，断开该至少一第一隔离存储器单元，并提供一预升压电压至该第一侧边存储器单元的字线；在一第二时间点导通该至少第一隔离存储器单元，以依据该预升压电压来传输预升压电能至该至少一第一通道存储器单元及一主要存储器单元的通道；以及在一升压时间周期期间，提供一升压电压到至少该第一通道存储器单元的该字线，其中，该预升压电压的电压电平不大于该升压电压的电压电平。
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