[发明专利]一种制作阵列基板的方法有效
| 申请号： | 201710310458.0 | 申请日： | 2017-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN106960815B | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 黄奔 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明提出了一种制作阵列基板的方法，包括以下步骤：步骤S10：在透明基板上沉积缓冲介质；步骤S20：在缓冲介质上设置薄膜晶体管，并在薄膜晶体管上沉积层间介质，在沉积层间介质的过程中向层间介质内渗入H |
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| 搜索关键词： | 一种 制作 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种制作阵列基板的方法，包括以下步骤：步骤S10：在透明基板上沉积缓冲介质；步骤S20：在缓冲介质上设置薄膜晶体管，并在薄膜晶体管上沉积层间介质，在沉积层间介质的过程中向层间介质内渗入H2；步骤S30：对阵列基板加热。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
