[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710310947.6 | 申请日： | 2017-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN108231864B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 李威养;篮加纯;詹佳玲;杨丰诚;陈燕铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置是包含掺杂半导体层、鳍片结构、源极/漏极区域以及鳍片侧壁。鳍片结构是设置在掺杂半导体层上，且是以p型掺质掺杂。源极/漏极区域是设置在鳍片结构的上部分中。鳍片侧壁是沿着鳍片结构的下部分形成的，并具有p型掺质。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：一掺杂半导体层；一鳍片结构，设置在该掺杂半导体层上，其中该鳍片结构是以一p型掺质掺杂；一源极/漏极区域，设置在该鳍片结构的一上部分中；以及一鳍片侧壁，沿着该鳍片结构的一下部分形成，其中该鳍片侧壁具有该p型掺质。
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