[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法有效
| 申请号： | 201710311944.4 | 申请日： | 2017-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN108807547B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 盖翠丽;王玲;张保侠 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王晓燕 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法。该薄膜晶体管包括：衬底基板以及设置于所述衬底基板上的金属遮光层、第一有源层、栅电极、源电极和漏电极；设置于所述第一有源层和所述金属遮光层之间的间隔层；其中，所述第一有源层包括沟道区，所述间隔层设置于所述沟道区和所述金属遮光层之间。间隔层可以增加有源层的沟道区与金属遮光层之间的间隔距离，以降低或消除有源层的沟道区与金属遮光层之间的寄生电容问题，可以提高薄膜晶体管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：衬底基板以及设置于所述衬底基板上的金属遮光层、第一有源层、栅电极、源电极和漏电极；设置于所述第一有源层和所述金属遮光层之间的间隔层；其中，所述第一有源层包括沟道区，所述间隔层设置于所述沟道区和所述金属遮光层之间。
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