[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

摘要

本发明提供一种阵列基板的制作方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成包括有源层的图形；在所述衬底上形成包括栅极的图形，所述栅极位于所述有源层背离所述衬底的一侧，并与所述有源层绝缘间隔，所述有源层的一部分与所述栅极相交叠；在所述衬底的背离所述有源层的一侧形成包括光阻挡层的图形，所述有源层与所述栅极相交叠区域在所述衬底上的正投影落入所述光阻挡层在所述衬底上的正投影。相应地，本发明还提供一种阵列基板和一种显示装置。本发明能够减小光阻挡层与上方导电膜层之间形成的寄生电容，并且防止准分子激光退火工艺中产生结晶不良，还可以简化阵列基板的制作工艺。

主权项

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：/n提供衬底；/n在所述衬底上形成包括有源层的图形；/n在所述衬底上形成包括栅极的图形，所述栅极位于所述有源层背离所述衬底的一侧，并与所述有源层绝缘间隔，所述有源层的一部分与所述栅极相交叠；/n在所述衬底的背离所述有源层的一侧形成包括光阻挡层的图形，所述有源层与所述栅极相交叠区域在所述衬底上的正投影落入所述光阻挡层在所述衬底上的正投影；/n形成包括有源层的图形的步骤和形成包括光阻挡层的图形的步骤同步进行，该同步进行的步骤包括：/n在衬底的两侧分别形成透明的有源材料层和半透光材料层，并在所述有源材料层上和所述半透光材料层上均形成光刻胶层；/n利用同一张掩膜板自所述衬底的任意一侧对衬底两侧的光刻胶层进行曝光，并对曝光后的光刻胶层显影，以保留对应于有源区的光刻胶，其余区域的光刻胶被去除；/n以剩余的光刻胶为掩膜，对所述有源材料层和所述半透光材料层进行刻蚀，以形成对应于所述有源区的有源层和光阻挡层。/n