[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201710315963.4 | 申请日： | 2017-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN108878461A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 戚德奎;陈福成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王莉莉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。该器件包括：设置在器件晶片的电介质层中的金属连线；位于金属连线上方的第一开口，第一开口的深度与金属连线齐平；位于器件两端的第二开口，第二开口的深度与第一开口的深度相同；覆盖在第一开口和第二开口的侧壁上的隔离层，隔离层由滤色材料构成。该器件和方法能够简化焊盘引出和隔离的工艺步骤，满足背面密封环的技术需求。 | ||
| 搜索关键词： | 开口 金属连线 半导体器件 隔离层 半导体技术领域 电介质层 工艺步骤 技术需求 滤色材料 器件晶片 密封环 侧壁 焊盘 齐平 制造 背面 隔离 覆盖 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：设置在器件晶片的电介质层中的金属连线；位于所述金属连线上方的第一开口，所述第一开口的深度与所述金属连线齐平；覆盖在所述第一开口的侧壁上的第一隔离层，所述第一隔离层由第一滤色材料构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
