[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201710318885.3 | 申请日： | 2017-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN107424936B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 宫奎;段献学;李纪龙 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置用以解决现有技术中存在的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法会降低金属氧化物薄膜晶体管的电连接性。本发明方法包括：在金属氧化物有源层上制备第一抗刻蚀层图案，其中第一抗刻蚀层图案掺杂有导电介质；在对金属氧化物进行刻蚀形成金属氧化物有源层图案后，制备金属氧化物薄膜晶体管的源极和漏极。由于第一抗刻蚀层图案掺杂有电阻率较低的导电介质，使得源极与金属有源层和漏极与金属有源层之间形成良好的电接触区域，从而提高降低金属氧化物薄膜晶体管的电连接性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种生产金属氧化物薄膜晶体管的方法，其特征在于，该方法包括：在金属氧化物有源层上制备第一抗刻蚀层图案，其中第一抗刻蚀层图案掺杂有导电介质；在对金属氧化物进行刻蚀形成金属氧化物有源层图案后，制备金属氧化物薄膜晶体管的源极和漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
