[发明专利]半导体元件、半导体装置及半导体元件的制造方法在审
| 申请号： | 201710320575.5 | 申请日： | 2017-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN107394024A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 塩路修司 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 朴渊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电介质多层膜和反射层之间的密接性高，且反射层的反射率高的半导体元件、半导体装置及半导体元件的制造方法。半导体发光元件(100)依次配置有半导体层叠体(2)、n侧导体层(31)及p侧导体层(32)、电介质多层膜(4)、以Ag为主成分的含有选自氧化物、氮化物、碳化物的至少一种粒子的n侧反射层(51)及p侧反射层(61)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其特征在于，依次配置有：半导体层、导体层、电介质多层膜、以Ag为主成分的反射层，含有选自氧化物、氮化物、碳化物的至少一种粒子。
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