[发明专利]半导体装置封装和其形成方法有效
| 申请号： | 201710325468.1 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN107946256B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 黄俊钦;叶勇谊;许哲铭 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/528;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 萧辅宽<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种准备好装配的半导体装置封装，所述半导体装置封装包含：半导体衬底；第一凸块下金属层，其安置于所述半导体衬底上；第一导电柱，其安置于所述第一凸块下金属层上；以及第二导电柱，其安置于所述第一导电柱上。所述第一导电柱的材料不同于所述第二导电柱的材料，且所述第二导电柱的所述材料包含抗氧化剂。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 封装 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种准备好装配的半导体装置封装，其包括：/n半导体衬底，所述半导体衬底具有晶圆翘曲；/n第一凸块下金属层，其安置于所述半导体衬底上；/n第一导电柱，其安置于所述第一凸块下金属层上；/n第二导电柱，其安置于所述第一导电柱上；/n第二凸块下金属层，其安置于所述半导体衬底上；/n第三导电柱，其安置于所述第二凸块下金属层上；以及/n第四导电柱，其安置于所述第三导电柱上；/n其中所述第一导电柱的材料不同于所述第二导电柱的材料，且所述第二导电柱与所述第四导电柱顶部表面具有大体上相同的层面。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司，未经日月光半导体制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710325468.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：形成芯片封装的方法
- 下一篇：半导体装置及制造其的方法
