[发明专利]一种等离子体装置有效

专利信息
申请号: 201710325963.2 申请日: 2017-05-10
公开(公告)号: CN108878242B 公开(公告)日: 2021-01-29
发明(设计)人: 韦刚;苏恒毅;杨京 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;罗瑞芝
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属于半导体加工技术领域,具体涉及等离子体装置。该装置包括反应腔室和设置于其中的承载装置,还包括栅网和与栅网电连接的栅网电源,栅网设置于承载装置的上方且与反应腔室的腔室壁绝缘,用于将反应腔室隔离为等离子体产生区和等离子体工艺区;且栅网的电位小于等离子体工艺区的电位、等离子体工艺区的电位小于等离子体产生区的电位。该装置可对等离子体产生区中的电子产生减速场,有效降低到达等离子体工艺区的电子的能量,从而有效降低等离子体工艺区等离子体中的电子温度,保证稳定的等离子体源和较高的等离子体密度;该等离子体装置采用连续波产生的等离子体,能降低等离子体产生和射频源匹配控制的难度,保证较大的工艺窗口。
搜索关键词: 一种 等离子体 装置
【主权项】:
1.一种等离子体装置,包括反应腔室和设置于所述反应腔室中的承载装置,其特征在于,还包括栅网和与所述栅网电连接的栅网电源,所述栅网设置于所述承载装置的上方且与所述反应腔室的腔室壁绝缘;所述栅网用于将所述反应腔室隔离为等离子体产生区和等离子体工艺区,且所述栅网的电位小于所述等离子体工艺区的电位、所述等离子体工艺区的电位小于所述等离子体产生区的电位。
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