[发明专利]单晶硅的制备方法在审
| 申请号： | 201710327143.7 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN107099842A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 王思锋;潘永娥 | 申请（专利权）人： | 宁夏协鑫晶体科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 王乐 |
| 地址： | 755099 宁*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单晶硅的制备方法，其包括如下步骤在石英坩埚的内壁底部覆盖碳酸钡层；然后装入硅料进行直拉单晶操作。上述单晶硅的制备方法，由于事先在石英坩埚的内壁底部覆盖碳酸钡层；碳酸钡最终可在石英坩埚的内壁上形成一层致密微小的釉层。随着硅液面的上升，最终在石英坩埚内壁与硅液接触的地方均形成这种釉层。由于形成致密微小的釉层的保护层，有效抑制了析晶，因此可以大幅度的改善石英坩埚的使用寿命及长晶良率。这种致密微小的釉层的保护层很难使硅液渗入而剥落。另外，保护层可增加石英坩埚的强度，从而减少高温软化现象。还有，钡在硅中的平衡偏析系数非常小，故而不会影响到硅晶棒的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶硅的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在石英坩埚的内壁底部覆盖碳酸钡层；然后装入硅料进行直拉单晶操作。
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