[发明专利]石英晶片去污装置和石英晶片去污方法在审
申请号: | 201710327764.5 | 申请日: | 2017-05-11 |
公开(公告)号: | CN106971969A | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
发明(设计)人: | 申红卫;李健;翟艳飞 | 申请(专利权)人: | 济源石晶光电频率技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/02;B08B3/08;B08B3/10;B08B3/12;H01L21/02 |
代理公司: | 郑州德勤知识产权代理有限公司41128 | 代理人: | 宋文龙 |
地址: | 454650 河南省焦作市济*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明提供一种石英晶片去污方法,其步骤包括将相同频率的石英晶片置于清洗筐中进行酸洗浸泡处理,得到酸洗石英晶片;采用热水对所述清洗筐连同置于其中的所述酸洗石英晶片进行淋洗处理,得到淋洗石英晶片;最后依次对所述淋洗石英晶片进行超声清洗、脱水干燥处理,得到洁净的石英晶片。该方法能有效消除石英晶片经腐蚀加工后产生的污染现象,避免了因石英晶片污染导致的激励功率依赖性偏高的现象。本发明还提供一种石英晶片去污装置,该装置方便了从酸洗液中取出石英晶片和后续对石英晶片进行热水淋洗和超声波清洗,减少了去污清洗过程中石英晶片的二次污染,且该装置还具有结构简单,使用方便快捷等优点。 | ||
搜索关键词: | 石英 晶片 去污 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种石英晶片去污方法,其步骤包括:石英晶片分装:提供一种清洗筐,将具有相同频率的石英晶片置于所述清洗筐中;酸洗:首先采用水浴槽将酸洗液加热至40℃~100℃,然后将所述清洗筐连同置于其中的所述石英晶片一起浸入所述酸洗液中进行恒温酸洗浸泡处理,得到酸洗石英晶片;热水淋洗:采用40℃~90℃的热水对所述清洗筐连同置于其中的所述酸洗石英晶片进行淋洗处理,得到淋洗石英晶片;清洗干燥:将所述淋洗石英晶片从所述清洗筐中取出,然后依次对所述淋洗石英晶片进行超声清洗、脱水干燥处理,得到洁净的石英晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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