[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板、制作方法及显示装置有效
| 申请号： | 201710330560.7 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN106935512B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 李正亮;冯京;宁策;刘松;张文林;杜建华;孙雪菲 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 黄灿;胡影 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板、制作方法及显示装置。该金属氧化物薄膜晶体管的制作方法包括：提供一基底；在所述基底上形成金属氧化物半导体层；对所述金属氧化物半导体层进行补氢处理，在所述金属氧化物半导体层表面形成氢氧基。表面形成有氢氧基的金属氧化物半导体层的性能更为稳定，从而使得金属氧化物薄膜晶体管的Vth基本不随Vds变化而变化，从而提高了薄膜晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 薄膜晶体管 阵列 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供一基底；在所述基底上形成金属氧化物半导体层；对所述金属氧化物半导体层进行补氢处理，在所述金属氧化物半导体层表面形成氢氧基。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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