[发明专利]晶片封装体与其制造方法有效
申请号: | 201710333092.9 | 申请日: | 2017-05-12 |
公开(公告)号: | CN107369695B | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 关欣;黄进清;郑家明 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台湾桃园市中*** | 国省代码: | 中国台湾;TW |
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摘要: | 一种晶片封装体与其制造方法。晶片封装体包含感测晶片、运算晶片与环状围绕感测晶片与运算晶片的保护层。感测晶片具有第一导电垫、感测元件以及相对的第一表面及第二表面,且感测元件位于第一表面上。运算晶片具有第二导电垫及运算元件。保护层以层压的方式形成,且至少暴露该感测元件。晶片封装体还包含位于该感测晶片的第二表面下的导电层,导电层延伸接触第一导电垫与第二导电垫。本发明能降低漏电流,并提升可靠度测试时的保护效果。 | ||
搜索关键词: | 晶片 封装 与其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶片封装体,其特征在于,包含:/n感测晶片,具有第一导电垫、感测元件以及相对的第一表面与第二表面,该感测元件位于该第一表面上且电性连接至该第一导电垫;/n运算晶片,具有第二导电垫和运算元件;/n保护层,环状围绕该感测晶片与该运算晶片,并暴露该感测晶片的该感测元件;/n导电层,位于该感测晶片的该第二表面上,并延伸接触该第一导电垫与该第二导电垫;以及/n透明基板,位于该感测晶片的该第一表面上,并连结至该感测晶片与该运算晶片,其中该透明基板包含围堰结构,该感测晶片通过该围堰结构连结至该透明基板,该运算晶片通过平板结构连结至该透明基板。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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