[发明专利]U形金属氧化物半导体组件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710333318.5 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN108878527B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 陈柏安;许健;C·阿亚迪普;陈正龙 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 贾磊 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种U形金属氧化物半导体组件及其制造方法，其中的U形金属氧化物半导体组件包括一基底、具有U形沟渠的一外延层、形成于外延层中的一P型基极区、源极和漏极、一沟渠式栅极与一栅氧化层。所述U形沟渠贯穿P型基极区，沟渠式栅极形成所述U形沟渠内，且栅氧化层位于沟渠式栅极与P型基极区之间的U形沟渠内。在所述栅氧化层中，栅氧化层与沟渠式栅极的界面具有第一p型掺杂浓度、栅氧化层与P型基极区的界面具有第二p型掺杂浓度，且所述第二p型掺杂浓度为所述第一p型掺杂浓度的100倍至10000倍。所述U形金属氧化物半导体组件具有改善的热载子射出效能。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种U形金属氧化物半导体组件的制造方法，其特征在于，包括：在形成于一基底的第一表面上的一外延层内形成一U形沟渠；于所述U形沟渠内形成一栅氧化层；于具有所述栅氧化层的所述U形沟渠内形成一沟渠式栅极；至少在所述栅氧化层上覆盖一罩幕层；以所述罩幕层作为阻挡罩幕，进行P型基极植入步骤，以在所述外延层中植入P型掺质；进行驱入步骤，以在所述外延层中形成一P型基极区；于所述沟渠式栅极的两侧的所述P型基极区内形成一源极；以及于所述基底的第二表面上形成一漏极，其中所述第二表面位在所述第一表面的相对面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新唐科技股份有限公司，未经新唐科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710333318.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体结构及其形成方法
- 下一篇：半导体结构及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
