[发明专利]SOI晶体管四端口网络射频模型参数提取方法有效
| 申请号： | 201710338860.X | 申请日： | 2017-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN108875105B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 陈静;吕凯;罗杰馨;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G06F30/39 | 分类号： | G06F30/39 |
| 代理公司： | 上海泰博知识产权代理有限公司 31451 | 代理人： | 钱文斌 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供一种SOI晶体管四端口网络射频模型参数提取方法，包括以下步骤：1）依据Y |
||
| 搜索关键词： | soi 晶体管 端口 网络 射频 模型 参数 提取 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SOI晶体管四端口网络射频模型参数提取方法，其特征在于，所述参数提取方法包括以下步骤：1)依据YGG提取栅电阻Rg及栅电容Cgg；2)依据YGS提取栅源电容Cgs，并依据YGD提取栅漏电容Cgd；3)依据YGS、Rg、Cgs及Cgd提取源电阻Rs，并依据YGD、Rg、Cgs及Cgd提取漏电阻Rd；4)依据YBS提取源体二极管结电容Csb，并依据YBD提取漏体二极管结电容Cdb；5)依据YBB提取体电阻Rb；6)依据漏区埋氧层与衬底的Y参数提取衬底电阻；7)依据漏区埋氧层与衬底的Y参数及ZBB提取衬底电容；8)依据ZCdbox提取漏区埋氧层电容；9)依据源区埋氧层与衬底的Y参数及YSS提取源区埋氧层电容。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710338860.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
