[发明专利]发光半导体芯片和用于制造发光半导体芯片的方法有效
| 申请号： | 201710339975.0 | 申请日： | 2017-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN107425413B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托夫·艾希勒;安德烈·佐默斯;贝恩哈德·施托耶茨;安德烈亚斯·莱夫勒;艾尔弗雷德·莱尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01S5/343;H01L33/08;H01L33/28;H01L33/30;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;李建航 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出一种发光半导体芯片(100)，其具有第一半导体层(1)，所述第一半导体层至少是设为用于产生光的有源层的一部分并且沿着至少一个延伸方向具有材料组成的横向变化。此外，提出一种用于制造半导体芯片(100)的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 半导体 芯片 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光半导体芯片(100)，其具有第一半导体层(1)，所述第一半导体层至少是设为用于产生光的有源层的一部分并且沿着至少一个延伸方向具有材料组成的横向变化。
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