[发明专利]制作嵌入式非挥发存储器的方法

摘要

本发明公开一种制作嵌入式非挥发存储器的方法。先提供半导体基板，具有鳍状结构，凸出于绝缘层上。再形成电荷存储层，横跨鳍状结构。然后于半导体基板上沉积层间介电层。研磨层间介电层，直到显露出电荷存储层的上表面。接着蚀刻电荷存储层，再将电荷存储层切断成分离的电荷存储结构。在电荷存储结构上形成高介电常数介电层，再于高介电常数介电层形成字符线。

主权项

1.一种制作嵌入式非挥发存储器的方法，包含有：提供一半导体基板，具有一鳍状结构，凸出于一绝缘层上；形成一电荷存储层，横跨该鳍状结构；在该半导体基板上沉积一层间介电层；研磨该层间介电层，直到显露出该电荷存储层的一上表面；凹陷蚀刻该电荷存储层；将该电荷存储层切断成分离的电荷存储结构；在该电荷存储结构上形成一高介电常数介电层；及在该高介电常数介电层形成一字符线。