[发明专利]半导体器件以及用于形成多个半导体器件的方法

摘要

公开了一种半导体器件以及用于形成多个半导体器件的方法。用于形成多个半导体器件的方法包括形成从半导体晶片的第一侧向表面朝向半导体晶片的第二侧向表面延伸的多个沟槽。该方法还包括用填充材料填充多个沟槽的至少一部分。该方法还包括从半导体晶片的第二侧向表面对半导体晶片进行减薄以形成减薄的半导体晶片。该方法还包括在对半导体晶片进行减薄之后，在半导体晶片的多个半导体芯片区上形成背侧金属化层结构。该方法还包括在形成背侧金属化层结构之后，通过从多个沟槽中去除填充材料的至少一部分来使半导体晶片的半导体芯片区个体化以获得多个半导体器件。

主权项

一种用于形成多个半导体器件的方法(100,200,300,400,500,600,700,800)，所述方法包括：形成(110)从半导体晶片的第一侧向表面朝向所述半导体晶片的第二侧向表面延伸的多个沟槽；用填充材料填充(120)所述多个沟槽的至少一部分；从所述半导体晶片的所述第二侧向表面对所述半导体晶片进行减薄(130)，以形成减薄的半导体晶片；在对所述半导体晶片进行减薄之后，在所述半导体晶片的多个半导体芯片区上形成(140)背侧金属化层结构，其中所述半导体晶片的所述多个半导体芯片区位于所述多个沟槽之间；以及在形成所述背侧金属化层结构之后通过从所述多个沟槽去除所述填充材料的至少一部分来使所述半导体晶片的所述半导体芯片区个体化(150)，以获得所述多个半导体器件。