[发明专利]用于提高PIMD性能的RF滤波器有效
| 申请号： | 201710344162.0 | 申请日： | 2017-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN108631030B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 千东完;郑成洙;朴正根 | 申请（专利权）人： | ACE技术株式会社 |
| 主分类号： | H01P1/208 | 分类号： | H01P1/208 |
| 代理公司： | 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 | 代理人： | 张莹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于提高PIMD性能的RF滤波器，所述滤波器包括：壳体，所述壳体具有至少一个空腔和保持在所述空腔中的介质谐振器；垫圈，所述垫圈成形为圆形板并且由连接至所述介质谐振器的上部分和下部分的金属制成；以及封盖，所述封盖连接至所述壳体。突出部可形成在所述垫圈的一侧上，以与所述封盖或所述壳体接触，其中，所述垫圈突出部的高度可沿着远离中心的方向增加。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提高 pimd 性能 rf 滤波器 | ||
【主权项】：
1.一种用于提高PIMD性能的RF滤波器，所述RF滤波器包括：壳体，所述壳体中形成有至少一个空腔，所述壳体包括保持在所述空腔中的介质谐振器；垫圈，所述垫圈连接至所述介质谐振器的上部分和下部分，所述垫圈成形为圆形板并且由金属材料制成；以及封盖，所述封盖连接至所述壳体的上部分，所述垫圈具有垫圈突出部，所述垫圈突出部形成在所述垫圈的一侧上，所述垫圈突出部的高度沿着远离中心的方向增加，并且所述垫圈用于与所述封盖或所述壳体接触。
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