[发明专利]半导体的来料检验方法在审
| 申请号： | 201710345396.7 | 申请日： | 2017-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN107238787A | 公开（公告）日： | 2017-10-10 |
| 发明（设计）人： | 何保明 | 申请（专利权）人： | 浦北县富通电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/12;G01N21/88 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙)11357 | 代理人： | 魏忠晖 |
| 地址： | 535300 广西壮族自治*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体的来料检验方法，所述半导体包括FR107、IN4007、IN4148、6V2、DB3、可控硅和三极管；目测半导体标识是否清晰，有无生锈、破损等情况；仪测在晶体管特性图示仪设置参数后，将半导体放在测试台上检测其耐压，FR107的耐压要求≥1200V，IN4007的耐压要求≥1400V，IN4148的耐压要求≥140V，6V2的耐压要求6.2V±5％，DB3的耐压要求32V±5％、可控硅和三极管的耐压要求≥450V；将抽检情况记录在来料检验报告表上，并判定允收或退货。本发明特地制定半导体的来料检验方法，规范检验要求，加强品质监督，提高供货质量，促使生产效率提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 来料 检验 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体的来料检验方法，其特征在于：所述半导体包括FR107、IN4007、IN4148、6V2、DB3、可控硅和三极管；所述半导体的来料检验方法包括以下步骤：步骤1：目测：半导体标识是否清晰，有无生锈、破损等情况；步骤2：仪测：在晶体管特性图示仪设置参数后，将半导体放在测试台上检测其耐压，FR107的耐压要求≥1200V，IN4007的耐压要求≥1400V，IN4148的耐压要求≥140V，6V2的耐压要求6.2V±5％，DB3的耐压要求32V±5％、可控硅和三极管的耐压要求≥450V；步骤3：将抽检情况记录在来料检验报告表上，并判定允收或退货。
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