[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

公开了一种半导体器件及其制造方法。该方法包括：在衬底上形成有源图案，该衬底包括在第一方向上彼此相邻的第一逻辑单元区域和第二逻辑单元区域；以及在衬底上形成暴露有源图案的上部的器件隔离层。形成有源图案包括：形成在第一方向上彼此平行地延伸并跨过第一逻辑单元区域和第二逻辑单元区域的第一线掩模图案；在第一线掩模图案上形成上分隔掩模图案，上分隔掩模图案包括交叠第一线掩模图案中的至少两个的第一开口；从该至少两个第一线掩模图案形成第一硬掩模图案；以及蚀刻衬底以形成限定有源图案的沟槽。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底，其包括沿着第一方向设置的多个逻辑单元；有源图案，其从所述衬底突出；以及在所述衬底上的器件隔离层，所述器件隔离层包括第一双扩散中断区域和第二双扩散中断区域，所述第一双扩散中断区域具有沿着所述第一方向测量的第一宽度并设置在一对相邻的逻辑单元之间，所述第二双扩散中断区域具有沿着所述第一方向测量的大于所述第一宽度的第二宽度并设置在另一对相邻的逻辑单元之间，其中所述有源图案包括：多对第一有源图案，每对中的第一有源图案沿着所述第一方向彼此间隔开并使所述第一双扩散中断区域插置在其间；以及多对第二有源图案，每对中的第二有源图案沿着所述第一方向彼此间隔开并使所述第二双扩散中断区域插置在其间，其中所述第一有源图案包括与所述第一双扩散中断区域的一侧相邻并沿着交叉所述第一方向的第二方向对准的第一端部，以及其中所述第二有源图案包括与所述第二双扩散中断区域的一侧相邻的第二端部，并且其中所述第二端部中的一个沿着所述第一方向从所述第二端部中的另一个偏移。