[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201710352130.5 | 申请日： | 2017-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108122978A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 马志宇;李承翰;潘正扬;张世杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/36 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种可增加半导体装置如晶体管其源极/漏极区中的掺质。半导体装置可包含第一材料的掺杂外延，其具有多个促进层埋置其中。促进层可为第二材料，且第一材料与第二材料不同。另一装置可包含晶体管的源极/漏极结构。源极/漏极结构包含掺杂的源极/漏极材料与一或多个分开的埋置促进层。方法包含成长促进层于基板的凹陷中，其中促进层实质上不含掺质。方法亦包含成长掺杂的外延层于凹陷中的促进层上。 | ||
| 搜索关键词： | 促进层 半导体装置 源极/漏极 第二材料 第一材料 掺杂的 凹陷 晶体管 埋置 源极/漏极区 含掺质 外延层 掺质 基板 掺杂 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一基板，具有一凹陷形成其中；一掺杂的外延形成于该凹陷中，且该掺杂的外延包括：多个第一材料层；以及一或多个促进层，包括一第二材料，且每一该或该些促进层位于两个该些第一材料层之间，其中该掺杂的外延中的掺质浓度自一层状物至另一层状物逐渐改变。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710352130.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体器件及其制造方法和电子装置
- 下一篇：半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
