[发明专利]改善PERC高效电池片外观的洗磷工艺在审
申请号: | 201710355830.X | 申请日: | 2017-05-19 |
公开(公告)号: | CN107180894A | 公开(公告)日: | 2017-09-19 |
发明(设计)人: | 高翔;张凯胜;姚伟忠 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/02 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙)32258 | 代理人: | 郑云 |
地址: | 213000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及太阳能电池片术领域,尤其是一种改善PERC高效电池片外观的洗磷工艺,该工艺包括以下步骤首先将硅片放入蚀刻槽进行蚀刻;再将蚀刻后的硅片放入水洗槽Ⅰ中用纯水进行清洗;将清洗后的硅片放入碱槽进行碱洗;然后将碱洗后的硅片放入循环加热的过氧化氢槽进行清洗,将去除表面有机物后的硅片的放入水洗槽Ⅱ中用纯水进行清洗;接着将清洗后的硅片放入酸槽进行酸洗;然后将酸洗后硅片的放入水洗槽Ⅲ中用纯水进行清洗;最后将清洗后的硅片烘置入烘干槽中烘干。本发明与常规的洗磷工艺相比新增一个循环加热的过氧化氢槽体,所制成的电池片,Voc和FF均有所提升,从而提高了效率,提高了电池片的成品利用率,电池片表面无白圈或白点。 | ||
搜索关键词: | 改善 perc 高效 电池 外观 工艺 | ||
【主权项】:
一种改善PERC高效电池片外观的洗磷工艺,其特征在于:该工艺包括以下步骤:a、首先将硅片放入蚀刻槽进行蚀刻,去除硅片背面PN结,进行背面抛光;b、再将蚀刻后的硅片放入水洗槽Ⅰ中用纯水进行清洗,把反应物和残酸冲洗掉,避免污染;c、将清洗后的硅片放入碱槽进行碱洗,清除多孔硅及中和残酸;d、然后将碱洗后的硅片放入循环加热的过氧化氢槽进行清洗,清洗硅片表面的有机物,其中,过氧化氢的浓度控制在40%±20%,过氧化氢槽内的温度控制在70℃±15℃;e、将去除表面有机物后的硅片的放入水洗槽Ⅱ中用纯水进行清洗,把反应物和残碱去除掉,避免污染;f、接着将清洗后的硅片放入酸槽进行酸洗,去除硅片正面的磷硅玻璃;d、然后将酸洗后硅片的放入水洗槽Ⅲ中用纯水进行清洗,把反应物和残酸去除掉,避免污染;g、最后将清洗后的硅片烘置入烘干槽中烘干。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的